Otsuka大塚显微分光膜厚仪

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Otsuka大塚显微分光膜厚仪

Otsuka大塚

膜厚量测仪 FE-300

显微分光膜厚仪 OPTM

 

测量原理
大塚电子利用光学干涉仪和自有的高精度分光光度计,实现非接触、无损、高速、高精度的薄膜厚度测量。光学干涉测量法是一种使用分光光度计的光学系统获得的反射率来确定光学膜厚的方法。以涂在金属基板上的薄膜为例,从目标样品上方入射的光被薄膜表面(R1)反射。此外,穿过薄膜的光在基板(金属)和薄膜界面(R2)处被反射。测量此时由于光程差引起的相移所引起的光学干涉现象,并根据得到的反射光谱和折射率计算膜厚的方法称为光学干涉法。分析方法有四种:峰谷法、频率分析法、非线性最小二乘法和优化法。

特点
非接触、非破坏式,量测头可自由集成在客户系统内
初学者也能轻松解析建模的初学者解析模式
高精度、高再现性量测紫外到近红外波段内的绝对反射率,可分析多层薄膜厚度、光学常数(n:折射率、k:消光系数)
单点对焦加量测在1秒内完成
显微分光下广范围的光学系统(紫外 ~ 近红外)
独立测试头对应各种inline定制化需求
最小对应spot约3um
可针对超薄膜解析nk

量测项目
绝对反射率分析
多层膜解析(50层)
光学常数(n:折射率、k:消光系数)

膜或者玻璃等透明基板样品,受基板内部反射的影响,无法正确测量。OPTM系列使用物镜,可以物理去除内部反射,即使是透明基板也可以实现高精度测量。此外,对具有光学异向性的膜或SiC等样品,也可完全不受其影响,单独测量上面的膜。

Otsuka大塚显微分光膜厚仪

 

应用范围
半导体、复合半导体:硅半导体、碳化硅半导体、砷化镓半导体、光刻胶、介电常数材料
FPD:LCD、TFT、OLED(有机EL)
资料储存:DVD、磁头薄膜、磁性材料
光学材料:滤光片、抗反射膜
平面显示器:液晶显示器、薄膜晶体管、OLED
薄膜:AR膜、HC膜、PET膜等
其它:建筑用材料、胶水、DLC等

                OPTM-A1                 OPTM-A2                 OPTM-A3
波长范围                 230 ~ 800 nm                 360 ~ 1100 nm                 900 ~ 1600 nm
膜厚范围                 1nm ~ 35μm                 7nm ~ 49μm                 16nm ~ 92μm
测定时间                 1秒 / 1点以内
光径大小                 10μm (最小约3μm)
感光元件                 CCD                 InGaAs
光源规格      氘灯+卤素灯   卤素灯
尺寸 556(W) X 566(D) X 618(H) mm (自动XY平台型的主体部分)
重量 66kg(自动XY平台型的主体部分)

 

Otsuka大塚显微分光膜厚仪

膜厚量测仪 FE-300

特点
支持从薄膜到厚膜的各种薄膜厚度
使用反射光谱分析薄膜厚度
实现非接触、非破坏的高精度测量,同时体积小、价格低
简单的条件设置和测量操作!任何人都可以轻松测量薄膜厚度
通过峰谷法、频率分析法、非线性最小二乘法、优化法等,可以进行多种膜厚测量。
非线性最小二乘法薄膜厚度分析算法可以进行光学常数分析(n:折射率,k:消光计数)。

测量项目
绝对反射率测量
膜厚分析(10层)
光学常数分析(n:折射率,k:消光计数)

测量对象
功能膜、塑料:透明导电膜(ITO、银纳米线)、相位差膜、偏光膜、AR膜、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、粘合剂、胶粘剂、保护膜、硬涂层、防指纹, 等等。
半导体:化合物半导体、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、SOI、蓝宝石等。
表面处理:DLC涂层、防锈剂、防雾剂等。
光学材料:滤光片、增透膜等。
FPD:LCD(CF、ITO、LC、PI)、OLED(有机膜、封装材料)等
其他:HDD、磁带、建筑材料等

 

 


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